使用過程中膠體損傷(外在應(yīng)力施加在膠體表面)導(dǎo)致內(nèi)部金線斷開而死燈(如圖所示B/C/D點(diǎn)其中之一點(diǎn)拉斷)的情況時(shí)有發(fā)生，

半導(dǎo)體照明是本世紀(jì)一場技術(shù)革命，從技術(shù)成熟角度看它還是個(gè)嬰兒，雖然LED大功率白光技術(shù)發(fā)展很快，然而LED光衰、散熱、成本這三個(gè)與生俱來的痼疾仍然是LED照明普及發(fā)展的攔路虎。

多芯片LED集成封裝是實(shí)現(xiàn)大功率白光LED照明的方式之一。本文歸納了集成封裝的特點(diǎn)，從產(chǎn)品應(yīng)用、封裝模式，散熱處理和光學(xué)設(shè)計(jì)幾個(gè)方面對(duì)其進(jìn)行了介紹，并分析了集成封裝的發(fā)展趨勢(shì)，隨著大功率白光LED在照明領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，集成封裝也將得到快速發(fā)展。

讓人意想不到全光譜LED水草燈，LED投光燈通過內(nèi)置微芯片的控制，在小型工程應(yīng)用場合中，可無控制器使用，能實(shí)現(xiàn)漸變、跳變、

led燈就是以發(fā)光二極管為光源的燈，led是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。led是作為繼白熾燈、熒光燈后的第三代照明技術(shù)，具有節(jié)能、環(huán)保、安全可靠的特點(diǎn)。

為獲得好的電流擴(kuò)展，Ni-Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發(fā)光效率就會(huì)受到很大影響，通常要同時(shí)兼顧電流擴(kuò)展與出光效率二個(gè)因素。但無論在什麼情況下，金屬薄膜的存在，總會(huì)使透光性能變差。此外，引線焊點(diǎn)的存在也使器件的出光效率受到影響。采用GaNLED倒裝芯片的結(jié)構(gòu)可以從根本上消除上面的問題。

關(guān)于這些免驅(qū)動(dòng)LED光源，LED泛光燈是一種可以向四面八方均勻照射的點(diǎn)光源，它的照射范圍可以任意調(diào)整，在場景中表現(xiàn)為一個(gè)正八面體的圖示。

現(xiàn)在還是在功能照明階段COB和SMD慢慢去取代HP光源，HP光源目前應(yīng)用在戶外較多，COB還有些需要改進(jìn)的地方，MCOB目前從現(xiàn)有階段來說還不能大面積推廣，其需要強(qiáng)勢(shì)的封裝廠家跟光學(xué)件廠家全面合作，推出比目前COB+光學(xué)件（鋁或PMMA村料等），目前來說COB光源的尺寸通用性還沒有完全規(guī)范，MCOB的全面應(yīng)用還需要一個(gè)時(shí)間問題。

實(shí)現(xiàn)大功率LED照明的方法有兩種：一是對(duì)單顆大功率LED芯片進(jìn)行封裝，二是采用多芯片集成封裝。對(duì)于前者來說，隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，尺寸增大，品質(zhì)提高，可通過大電流驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)大功率LED，但同時(shí)會(huì)受到芯片尺寸的限制，后者具有更大的靈活性和發(fā)展?jié)摿Γ筛鶕?jù)照度不同來改變芯片的數(shù)量，同時(shí) 它具有較高的性價(jià)比，使得LED集成封裝成為LED封裝的主流方向之一。